Datasheet > 存储 > SRAM> UPD43256BGU-B12-A

UPD43256BGU-B12-A

更新时间： 2024-11-06 03:24:39

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		存储内存集成电路静态存储器光电二极管 ISM频段
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28页	225K
描述
256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT

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UPD43256BGU-B12-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	0.450 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOP-28	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e3/e6	长度：	18 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3 mm
最小待机电流：	2 V	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8.4 mm	Base Number Matches：	1

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DATA SHEET

MOS INTEGRATED CIRCUIT

μPD43256B

256K-BIT CMOS STATIC RAM

32K-WORD BY 8-BIT

Description

The μPD43256B is a high speed, low power, and 262,144 bits (32,768 words by 8 bits) CMOS static RAM.

Battery backup is available. And A and B versions are wide voltage operations.

The μPD43256B is packed in 28-pin PLASTIC DIP, 28-pin PLASTIC SOP and 28-pin PLASTIC TSOP (I) (8 x 13.4 mm).

Features

• 32,768 words by 8 bits organization

• Fast access time: 70, 85, 100, 120, 150 ns (MAX.)

• Low voltage operation (A version: V^CC= 3.0 to 5.5 V, B version: VCC = 2.7 to 5.5 V)

• Low VCC data retention: 2.0 V (MIN.)

• /OE input for easy application

Part number

Access time

ns (MAX.)

Operating supply Operating ambient

Supply current

voltage

temperature

°C

At operating

mA (MAX.)

At standby At data retention

μA (MAX.)

μA (MAX.) ^Note1

μPD43256B-xxL

μPD43256B-xxLL

μPD43256B-Axx

μPD43256B-Bxx^Note2

70, 85

4.5 to 5.5

0 to 70

85, 100^Note2, 120^Note2

100, 120, 150

3.0 to 5.5

2.7 to 5.5

Notes 1. TA ≤ 40 °C, VCC = 3.0 V

2. Access time: 85 ns (MAX.) (V^CC= 4.5 to 5.5 V)

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. M10770EJEV0DS00 (14th edition)

Date Published June 2006 NS CP (K)

Printed in Japan

1990, 1993, 1994

12 3 4 5 6 7...28

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPD43256BGU-B15-A	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28
UPD43256BGW-70LL	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
UPD43256BGW-70LL-9JL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGW-70LL-9JL-A	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGW-70LL-9KL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGW-70LL-9KL-A	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT
UPD43256BGW-70LL-A	RENESAS	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, TSOP1-28
UPD43256BGW-70X-9JL	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION
UPD43256BGW-70X-9JL-A	NEC	获取价格	256K-BIT CMOS STATIC RAM 32K-WORD BY 8-BIT EXTENDED TEMPERATURE OPERATION

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