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UPD4216805LG5-A70

更新时间: 2024-02-21 17:50:23
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 595K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

UPD4216805LG5-A70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G28内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
座面最大高度:1.1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

UPD4216805LG5-A70 数据手册

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