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UPD4216805LLE-A70

更新时间: 2024-01-17 14:16:06
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其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 595K
描述
x8 EDO Page Mode DRAM

UPD4216805LLE-A70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J28长度:18.67 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:3.7 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

UPD4216805LLE-A70 数据手册

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