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UPA829TD

更新时间： 2024-02-26 12:31:57

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其他 - ETC		晶体晶体管
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24页	116K
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TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TSOP

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UPA829TD 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	2 X 1.25 MM, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	0.85 pF
集电极-发射极最大电压：	6 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带：	L BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
元件数量：	2	端子数量：	6
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	9000 MHz	Base Number Matches：	1

UPA829TD 数据手册

µPA829TD

TYPICAL CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified, T^A= +25°C)

TOTAL POWER DISSIPATION

vs. AMBIENT TEMPERATURE

REVERSE TRANSFER CAPACITANCE

vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE

300

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

Mounted on Glass Epoxy Board

f = 1 MHz

(1.08 cm²× 1.0 mm (t) )

250

2 Elements in total

210

200

190

150

100

Per Element

100

125

(˚C)

150

1.0

Ambient Temperature T

Collector to Base Voltage VCB (V)

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

100

CE = 1 V

CE = 2 V

0.2

0.4

0.6

0.8

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

Base to Emitter Voltage VBE (V)

COLLECTOR CURRENT vs.

BASE TO EMITTER VOLTAGE

COLLECTOR CURRENT vs.

COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE

100

CE = 3 V

I : 50 µA step

500

400 A

300 A

200

100

I = 50

0.2

0.4

0.6

0.8

Base to Emitter Voltage VBE (V)

Collector to Emitter Voltage VCE (V)

Data Sheet P15357EJ1V0DS

1 234 5 6 7...24

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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UPA829TD-T3	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 6V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TSOP	获取价格
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UPA829TF-T1	NEC	RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, L Band, Silicon, NPN, 2 X 1.25 M	获取价格
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