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UPA2739T1A-E2-AY

更新时间： 2024-09-16 12:47:15

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描述
P-channel MOSFET -30 V, -85 A, 2.8 m

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UPA2739T1A-E2-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	HVSON	包装说明：	HVSON-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
Samacsys Description：	General Purpose Power MOSFETs Pch Single Power MOSFET -30V -85A 2.8mohm 8pin HVSON (6051)	雪崩能效等级（Eas）：	160 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	85 A
最大漏极电流 (ID)：	85 A	最大漏源导通电阻：	0.0028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-N5
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	180 A
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2739T1A-E2-AY 数据手册

Data Sheet

μPA2739T1A

P-channel MOSFET

–30 V, –85 A, 2.8 mΩ

R07DS0885EJ0102

Rev.1.02

Nov 28, 2012

Description

The μ PA2739T1A is P-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications.

Features

•

V_DSS= −30 V (T_A= 25°C)

Low on-state resistance

⎯ R_DS(on)= 2.8 mΩ MAX. (V_GS= −10 V, I_D= −46 A)

⎯ R_DS(on)= 5.7 mΩ MAX. (V_GS= −4.5 V, I_D= −23 A)

4.5 V Gate-drive available

Thin type surface mount package with heat spreader

Halogen free

•

8-pin HVSON(6051)

Ordering Information

Part No.

LEAD PLATING

PACKING

Package

Pure Sn

Tape 3000 p/reel

8-pin HVSON(6051)

μ PA2739T1A-E2-AY^∗

0.1 g TYP.

Note: ^∗1. Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode.)

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25°C)

Item

Symbol

Ratings

−30

Unit

Drain to Source Voltage (V_GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V_DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T_C= 25°C)

V_DSS

V_GSS

I_D(DC)

m20

m85

Drain Current (pulse) ^∗

I_D(pulse)

P_T1

P_T2

P_T3

T_ch

m180

1.5

Total Power Dissipation ^∗

°C

Total Power Dissipation (PW = 10 sec) ^∗

Total Power Dissipation (T_C= 25°C)

Channel Temperature

4.6

150

Storage Temperature

Single Avalanche Current ^∗

Single Avalanche Energy ^∗

T_stg

I_AS

−55 to +150

-40

E_AS

160

Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance ^∗2

R_th(ch-A)

R_th(ch-C)

83.3

1.5

°C/W

Notes: ^∗1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

^∗2. Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mmt

^∗3. Starting T_ch= 25°C, V_DD= −15 V, R_G= 25 Ω, V_GS= −20 → 0 V, L = 100 μH

R07DS0885EJ0102 Rev.1.02

Nov 28, 2012

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