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UPA101G-E

更新时间: 2024-01-15 15:44:31
品牌 Logo 应用领域
CEL 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 83K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.04A I(C), 6-Element, X Band, Silicon, NPN

UPA101G-E 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-CDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.82
最大集电极电流 (IC):0.04 A集电极-发射极最大电压:6 V
配置:COMPLEX最小直流电流增益 (hFE):40
最高频带:X BANDJESD-30 代码:R-CDSO-G8
元件数量:6端子数量:8
最高工作温度:125 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):9000 MHz
Base Number Matches:1

UPA101G-E 数据手册

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