UPA1428A

更新时间： 2024-02-04 20:53:47

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管达林顿晶体管
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6页	56K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRIAL USE

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UPA1428A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	70 V	配置：	COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE)：	2000	JESD-30 代码：	R-PSIP-T10
元件数量：	4	端子数量：	10
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1428A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR ARRAY

µPA1428A

NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY

HIGH SPEED SWITCHING USE (DARLINGTON TRANSISTOR)

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSION

(in m illim eters)

The µPA1428Ais NPN silicon epitaxialDarlington Power

Transistor Array that built in Surge Absorber 4 circuits

designed for driving solenoid, relay, lam p and so on.

4.0

26.8 MAX.

FEATURES

•

Surge Absorber built in.

Easy m ount by 0.1 inch of term inal interval.

High hFE for Darlington Transistor.

ORDERING INFORMATION

1.4

0.5 ±0.2

2.54

1.4 0.6 ±0.2

Part Num ber

Package

Quality Grade

Standard

µPA1428AH

10 Pin SIP

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Please refer to “Quality grade on NEC Sem iconductor

Device” (Docum ent num ber IEI-1209) published by NEC

Corporation to know the specification of quality grade on

the devices and its recom m ended applications.

CONNECTION DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 ˚C)

Collector to Base Voltage

VCBO

60 ±10

Collector to Em itter Voltage V^CEO

Em itter to Base Voltage

Surge Sustaining Energy

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse)

Base Current (DC)

V^EBO

(C)

E^CEO(sus)30

m J /unit

A/unit

I^C(DC)

I^C(pulse)*

I^B(DC)

P^T1**

P^T2***

T^j

±2

±3

(B)

0.2

3.5

Total Power Dissipation

J unction Tem perature

Storage Tem perature

R¹

150

˚C

(E)

T^stg–55 to +150 ˚C

PIN NO.

* PW ≤ 350 µs, Duty Cycle ≤ 2 %

** 4 Circuits, T^a= 25 ˚C

2, 4, 6, 8: Base (B)

3, 5, 7, 9: Collector (C)

1, 10: Emitter (E)

R¹= 10 kΩ

*** 4 Cuircuits, T^c= 25 ˚C

R²= 900 Ω

The inform ation in this docum ent is subject to change w ithout notice.

Document No. IC-3479

(O.D. No. IC-8359)

Date Published September 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6

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与UPA1428A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1428AH	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRI
UPA1428AH-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1
UPA1428H	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| DARLINGTON \| 60V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| SIP
UPA1434	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1434H	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING USE INDUSTRIAL USE
UPA1434H-AZ	NEC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1
UPA1436A	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRI
UPA1436AH	NEC	获取价格	NPN SILICON POWER TRANSISTOR ARRAY HIGH SPEED SWITCHING USE DARLINGTON TRANSISTOR INDUSTRI
UPA1436AH-AZ	RENESAS	获取价格	3A, 100V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
UPA1436H	NEC	获取价格	PNP SILICON EPITAXOAL POWER TRANSISTOR ARRAY LOW SPEED SWITCHING(DARLINGTON)

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