UNR521TG

更新时间： 2024-09-15 13:15:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		/
页数	文件大小	规格书
17页	435K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNR521TG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.13	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNR521TG 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNR521x Series (UN521x Series)

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

+0.10

–0.05

+0.1

For digital circuits

0.15

0.3

–0.0

■ Features

• Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts

• S-Mini type package, allowing automatic insertion through the tape

packing and magazine packing

(0.65) (0.65)

1.3 0.1

2.0 0.2

■ Resistance by Part Number

10˚

Marking symbol (R₁)

(R₂)



• UNR5210 (UN5210)

• UNR5211 (UN5211)

• UNR5212 (UN5212)

• UNR5213 (UN5213)

• UNR5214 (UN5214)

• UNR5215 (UN5215)

• UNR5216 (UN5216)

• UNR5217 (UN5117)

• UNR5218 (UN5218)

• UNR5219 (UN5219)

• UNR521D (UN521D)

• UNR521E (UN521E)

• UNR521F (UN521F)

• UNR521K (UN521K)

• UNR521L (UN521L)

47 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

0.51 kΩ

1 kΩ

47 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

22 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

47 kΩ



1: Base

2: Emitter

3: Collector

EIAJ: SC-70

SMini3-G1 Package

Internal Connection



5.1 kΩ

10 kΩ

22 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ

47 kΩ

2.2 kΩ

22 kΩ

R₁

R₂

• UNR521M (UN521M) EL

• UNR521N (UN521N)

• UNR521T (UN521T)

• UNR521V (UN521V)

• UNR521Z (UN521Z)

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Collector current

I_C

P_T

T_j

100

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

°C

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: January 2004

SJH00024CED

12 3 4 5 6 7...17

中文翻译

下载PDF

与UNR521TG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNR521TQ	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR521TS	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR521V	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UNR521V(UN521V)	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR521V\|UN521V	PANASONIC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR521VG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR521W	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type
UNR521WG	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
UNR521XSERIES(UN521XSERIES)	ETC	获取价格	UNR521X Series (UN521X Series) - NPN Transistors with built-in Resistor
UNR521Z	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar type

与UNR521TG相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

4
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

4
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

83
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

75

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNR521TG

UNR521TG 技术参数

UNR521TG 数据手册

与UNR521TG相关器件

与UNR521TG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNR521TG

UNR521TG 技术参数

UNR521TG 数据手册

与UNR521TG相关器件

与UNR521TG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？