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UNR5225G

更新时间： 2024-10-30 21:12:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	252K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN

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UNR5225G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

UNR5225G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNR5225G, UNR5226G

Silicon NPN epitaxial planar type

For muting

■ Package

■ Features

•

Code

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat), optimum for the

muting circuit

• The use with high current value is possible

SMini3-F2

Pin Name

1: Base

•

2: Emitter

3: Collector

■ Resistance by Part Number

Marking symbol

(R₁)

(R₂)



• UNR5225G

• UNR5226G

10 kΩ

4.7 kΩ

■ Internal Connection

R₁

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

R₂

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

600

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input resistance UNR5226G

UNR5225G

I_C= 1 µA, I_E= 0

I_C= 1 mA, I_B= 0

I_E= 1 µA, I_C= 0

V_CB= 30 V, I_E= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

µA



I_EBO

h_FE

V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

I_C= 50 mA, I_B= 2.5 mA

100

600

V_CE(sat)

R₁

kΩ

−30%

4.7

+30%

ON resistance ^*UNR5226G

UNR5225G

R_on

V_I= 7 V, R_L= 1 kΩ, f = 1 kHz

0.95

1.5

Ω

Transition frequency

f_T

V_CB= 10 V, I_E= −50 mA, f = 200 MHz

200

MHz

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Refer to R_onmeasurement circuit

Publication date: September 2007

SJH00220AED

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