5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UNR121K(UN121K) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
|
| UNR121K|UN121K | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR121KQ | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
|
| UNR121KR | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
|
| UNR121KS | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
|
| UNR121L | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon NPN epitaxial planar type |
|
| UNR121L(UN121L) | ETC |
获取价格 |
複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ |
|
| UNR121L|UN121L | ETC |
获取价格 |
Composite Device - Transistors with built-in Resistor |
|
| UNR121LQ | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
|
| UNR121LR | PANASONIC |
获取价格 |
Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
