5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > UNR1223(UN1223)
UNR1223(UN1223) PDF预览

UNR1223(UN1223)

更新时间： 2024-11-22 23:39:27
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 131K
描述
Composite Device - Transistors with built-in Resistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

UNR1223(UN1223) 数据手册

 浏览型号UNR1223(UN1223)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UNR1223(UN1223)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UNR1223(UN1223)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UNR1223(UN1223)的Datasheet PDF文件第5页 
Transistors with built-in Resistor  
UNR1221/1222/1223/1224 (UN1221/1222/1223/1224)  
Unit: mm  
Silicon NPN epitaxial planar transistor  
For digital circuits  
2.5 0.1  
6.9 0.1  
(1.5)  
(1.0)  
(1.5)  
Features  
I
G
Costs can be reduced through downsizing of the equipment and  
reduction of the number of parts.  
R 0.9  
R 0.7  
G
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
Resistance by Part Number  
I
(R1)  
(R2)  
(0.85)  
0.55 0.1  
0.45 0.05  
G
G
G
G
UNR1221  
UNR1222  
UNR1223  
UNR1224  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
10kΩ  
2.2kΩ  
2.2kΩ  
4.7kΩ  
10kΩ  
10kΩ  
3
2
1
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
(2.5) (2.5)  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Ratings  
Unit  
V
M-A1 Package  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
50  
50  
Internal Connection  
V
500  
mA  
mW  
˚C  
C
E
R1  
B
Total power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT  
600  
Tj  
150  
R2  
Tstg  
–55 to +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
ICBO  
VCB = 50V, IE = 0  
1
1
5
2
1
µA  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 50V, IB = 0  
VEB = 6V, IC = 0  
µA  
UNR1221  
Emitter  
UNR1222  
IEBO  
mA  
cutoff  
current  
UNR1223/1224  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Forward UNR1221  
VCBO  
VCEO  
IC = 10µA, IE = 0  
50  
50  
40  
50  
60  
V
V
IC = 2mA, IB = 0  
current  
transfer  
UNR1222  
hFE  
VCE = 10V, IC = 100mA  
UNR1223/1224  
ratio  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 100mA, IB = 5mA  
0.25  
0.2  
V
V
Output voltage high level  
Output voltage low level  
Transition frequency  
VOH  
VOL  
fT  
VCC = 5V, VB = 0.5V, RL = 500Ω  
VCC = 5V, VB = 3.5V, RL = 500Ω  
VCB = 10V, IE = –50mA, f = 200MHz  
4.9  
V
200  
2.2  
4.7  
10  
MHz  
UNR1221/1224  
Input  
UNR1222  
R1  
(–30%)  
0.8  
(+30%)  
1.2  
kΩ  
resis-  
tance  
UNR1223  
Resistance ratio  
1.0  
0.22  
R1/R2  
UNR1224  
Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.  
1
12345

中文翻译

下载PDF

与UNR1223(UN1223)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNR1224 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71
UNR1224(UN1224) ETC

获取价格

 		複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ
UNR1231 PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
UNR1231(UN1231) ETC

获取价格

 		複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ
UNR1231/1231A(UN1231/1231A) ETC

获取价格

 		UNR1231/1231A (UN1231/1231A) - NPN Transistor with built-in Resistor
UNR1231|UN1231 ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR1231A(UN1231A) ETC

获取价格

 		複合デバイス － 抵抗内蔵型トランジスタ
UNR1231A|UN1231A ETC

获取价格

 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNR-2.5/10-D12 MURATA

获取价格

 		DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 25W, Hybrid, PACKAGE-6
UNR-2.5/10-D3SM-C MURATA

获取价格

 		DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, Hybrid, ROHS COMPLIANT, METAL, SMT-9

与UNR1223(UN1223)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证