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UNR1222(UN1222)

更新时间： 2024-11-18 23:39:27

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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNR1222(UN1222) 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNR1221/1222/1223/1224

(UN1221/1222/1223/1224)

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

デジタル回路用

2.5±±.1

6.9±±.1

(1.5)

(1.±)

(1.5)

I 特ꢀ長

R ±.9

•

機器の小形化, 部品点数の削減によりコストダウン可能

R ±.7

• M型パッケージで自動挿入, 手挿入が容易, P板に自立固定

が可能

I 品

種別抵抗値

(±.85)

±.45±±.±5

±.55±±.1

(R₁)

(R₂)

•

UNR1221 (UN1221)

UNR1222 (UN1222)

UNR1223 (UN1223)

UNR1224 (UN1224)

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

2.2 kΩ

4.7 kΩ

10 kΩ

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

(2.5) (2.5)

M-A1 Package

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

項目

コレクタ・ベース電圧

コレクタ・エミッタ電圧

コレクタ電流

記号

定格

単位

V_CBO

V_CEO

I_C

内部接続図

500

600

R₁

全許容損失

P_T

接合部温度

T_j

150

°C

保存温度

T_stg

−55 ∼ +150

°C

I 電気的特性 T_a= 25°C

項目

記号

I_CBO

I_CEO

I_EBO

条件

最小標準

最大

単位

µA

コレクタ遮断電流

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

µA

エミッタ UNR1221

遮断電流 UNR1222

UNR1223/1224

コレクタ・ベース電圧

コレクタ・エミッタ電圧

V_CBO

V_CEO

h_FE

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

直流電流

UNR1221

V_CE= 10 V, I_C= 100 mA

増幅率

UNR1222

UNR1223/1224

コレクタ・エミッタ飽和電圧

出力電圧"H"レベル

V_CE(sat)

V_OH

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

0.25

0.2

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 500

V_CC= 5 V, V_B= 3.5 V, R_L= 500

Ω

4.9

出力電圧"L"レベル

V_OL

注) 形名の( )内は, 従来品番です

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