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UMD3NTN

更新时间： 2024-01-15 18:00:33
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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UMD3NTN 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN AND PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UMD3NTN 数据手册

 浏览型号UMD3NTN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UMD3NTN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UMD3NTN的Datasheet PDF文件第4页 
EMD3 / UMD3N / IMD3A  
Transistors  
General purpose  
(dual digital transistors)  
EMD3 / UMD3N / IMD3A  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zFeatures  
1) Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a EMT  
or UMT or SMT package.  
EMD3  
( )  
3
( )  
2
( )  
1
( )  
4
( )  
5
( )  
6
2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3  
automatic mounting machines.  
1.2  
1.6  
3) Transistor elements are independent, eliminating  
interference.  
Each lead has same dimensions  
4) Mounting cost and area can be cut in half.  
ROHM : EMT6  
Abbreviated symbol : D3  
UMD3N  
zStructure  
Epitaxial planar type  
1.25  
2.1  
NPN / PNP silicon transistor (Built-in resistor type)  
0.1Min.  
Each lead has same dimensions  
The following characteristics apply to both the DTr1 and  
DTr2, however, the “−” sign on DTr2 values for the PNP  
type have been omitted.  
ROHM  
EIAJ  
:
UMT6  
:
SC-88  
Abbreviated symbol : D3  
IMD3A  
zEquivalent circuits  
1.6  
2.8  
EMD3 / UMD3N  
IMD3A  
(4) (5) (6)  
R
(3) (2) (1)  
R
1
R2  
1
R2  
DTr  
1
DTr  
1
0.3to0.6  
DTr2  
DTr2  
Each lead has same dimensions  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
R
1
=10kΩ  
=10kΩ  
R2  
R
2
R1  
ROHM  
EIAJ  
:
SMT6  
SC-74  
R2  
R
2
R1  
(3) (2) (1)  
:
(4) (5) (6)  
Abbreviated symbol : D3  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Limits  
Parameter  
Symbol  
Unit  
V
Supply voltage  
V
CC  
50  
−10  
Input voltage  
VIN  
V
40  
I
O
50  
Output current  
mA  
mW  
I
C (Max.)  
100  
1
2
EMD3, UMD3N  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
∗
∗
Power  
Pd  
dissipation  
IMD3A  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
−55∼+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
∗
∗
Rev.A  
1/3  
1234

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UMD3NTN 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PUMD30 NEXPERIA

功能相似

 50 V, 100 mA NPN/PNP resistor-equipped double
MUN5311DW1T1 LRC

功能相似

 Dual Bias Resistor Transistors

与UMD3NTN相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMD3N-TP-HF MCC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
UMD3NTR ROHM

获取价格

 		General purpose (Dual digital transistors)
UMD3TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD3TN ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD3TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD4 ROHM

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 		Packaging specifications
UMD48N CJ

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 		SOT-363
UMD4N ROHM

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 		General purpose (dual digital transistors)
UMD5 ROHM

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 		Packaging specifications
UMD5N HTSEMI

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 		General pur p ose transistors (dual digital transistors)

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