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UMD3N-TP-HF PDF预览

UMD3N-TP-HF

更新时间： 2024-01-15 17:12:10
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 259K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6

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UMD3N-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN AND PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

UMD3N-TP-HF 数据手册

 浏览型号UMD3N-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
UMD3N  
Micro Commercial Components  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
•
Both the DTA114E chip and DTC114E chip in a package  
Mounting possible with SOT-363 automatic mounting machines.  
Transistor elements are independent, eliminating interference.  
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
•
•
·
Digital Transistors  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Absolute maximum ratings @ 25?  
Symbol  
VCC  
VIN  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Value  
50  
-10~40  
50  
100  
150  
Unit  
V
V
SOT-363  
IO  
Output current  
mA  
mA  
mW  
?
IC(MAX)  
Pd  
Tj  
Collector Current  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
G
150  
-55~150  
Tstg  
?
C
B
Electrical Characteristics @ 25?  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100µA)  
(VO=0.3V, IO=10mA)  
Min  
0.5  
---  
---  
---  
---  
30  
7
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
---  
Unit  
V
V
V
mA  
µA  
A
H
3.0  
0.3  
0.88  
0.5  
---  
Output voltage (IO/II=10mA/0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
M
K
IO(off)  
GI  
R1  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
J
D
L
13  
1.2  
KΩ  
R2/R1  
Resistance ratio  
0.8  
Transition frequency  
(VCE=10V, IE=5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
DIMENSIONS  
Equivalent circuit  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
MIN  
.006  
.045  
.085  
MIN  
0.15  
1.15  
2.15  
MAX  
0.35  
1.35  
2.45  
NOTE  
.014  
.053  
.096  
B
C
D
G
H
J
.026  
0.65Nominal  
.047  
.071  
---  
.055  
.087  
.004  
.043  
.018  
.006  
1.20  
1.80  
1.40  
2.20  
0.10  
1.10  
0.46  
0.15  
---  
K
.035  
.010  
.003  
0.90  
0.26  
0.08  
L
M
Marking :D3  
www.mccsemi.com  
1 of 2  
Revision: C  
2014/01/16  
12

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与UMD3N-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UMD3NTR ROHM

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 		General purpose (Dual digital transistors)
UMD3TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD3TN ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD3TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
UMD4 ROHM

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 		Packaging specifications
UMD48N CJ

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UMD4N ROHM

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 		General purpose (dual digital transistors)

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