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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> UMA9TR
UMA9TR PDF预览

UMA9TR

更新时间： 2024-09-15 13:02:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 65K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, MINIMOLD, UM5, 5 PIN

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UMA9TR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：30
JESD-30 代码：R-PDSO-G5元件数量：2
端子数量：5封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

UMA9TR 数据手册

 浏览型号UMA9TR的Datasheet PDF文件第2页 
UMA9N / FMA9A  
Transistors  
Digital transistor  
(Common Emitter Dual Transistors)  
UMA9N / FMA9N  
!Features  
!External dimensions (Units : mm)  
1) Two DTA114E chips in UMT and  
SMT packages.  
2) Mounting cost and area can be cut  
in half.  
UMA9N  
FMA9A  
2.9±0.2  
1.9±0.2  
+0.2  
2.0±0.2  
1.1  
−0.1  
0.9±0.1  
0.7  
1.3±0.1  
0.65 0.65  
(2)  
0.8±0.1  
0.95 0.95  
(4) (5)  
(3)  
(3)  
(1)  
0~0.1  
0~0.1  
(5)  
(1)  
(2)  
(4)  
+0.1  
−0.06  
+0.1  
!Structure  
+0.1  
−0.05  
0.15  
0.3  
0.2  
−0.05  
0.15±0.05  
All terminals have same  
dimensions.  
All terminals have same  
dimensions.  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(Built-in resistor type)  
ROHM : UMT5  
EIAJ : SC-88A  
ROHM : SMT5  
EIAJ : SC-74A  
(3)  
(2)  
(1)  
(3)  
(4)  
(5)  
R
1
R
DTr  
1
R
1
R1  
R2  
R2  
R2  
R2  
DTr  
2
1
DTr  
2
DTr1  
The following characteristics apply to  
(4)  
(5)  
(2)  
(1)  
R
1
2
= 10kΩ  
= 10kΩ  
R
1
2
= 10kΩ  
= 10kΩ  
1
2
both DTr and DTr .  
R
R
Abbreviated symbol: A10  
!Absolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Limits  
−50  
−40  
10  
Parameter  
Supply voltage  
Symbol  
Unit  
V
VCC  
Input voltage  
V
VIN  
I
O
−50  
−100  
mA  
mW  
Output current  
I
C (MAX.)  
1
UMA9N  
FMA9A  
150 (TOTAL)  
300 (TOTAL)  
150  
*
*
Power  
dissipation  
Pd  
2
Tj  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
−50~+150  
1 120mW per element must not be exceeded.  
2 200mW per element must not be exceeded.  
*
*
!Electrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Symbol Min.  
Typ.  
Max.  
−0.5  
−
Unit  
V
Conditions  
−100µA  
−10mA  
−10mA / −0.5mA  
−5V  
−50V, V  
−5mA, V  
−10mA, I  
V
I (off)  
I (on)  
−
−3.0  
−
−
−
V
CC  
=
−5V, IO =  
Input voltage  
V
V
O
=
−0.3V, I  
O
=
V
O (on)  
−0.1  
−
−0.3  
V
mA  
µA  
−
I
O
/I  
I
=
Output voltage  
Input current  
I
I
−
−0.88  
V
V
I
=
I
O (off)  
−
−
−0.5  
CC  
=
I
=
0V  
Output current  
DC current gain  
G
I
30  
−
−
I
O
=
O
=
−5V  
Transition frequency  
Input resistance  
−
7
250  
10  
1
−
MHz  
kΩ  
−
f
T
V
CE  
=
E
= 5mA, f = 100MHZ  
*
R
1
13  
1.2  
−
−
Resistance ratio  
R2/R1  
0.8  
Transition frequency of the device  
*
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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