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UMB11

更新时间: 2024-01-04 21:06:08
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 167K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SO

UMB11 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:MINIMOLD, UM6, 6 PIN
针数:6Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC):0.05 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):30JESD-30 代码:R-PDSO-G6
元件数量:2端子数量:6
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

UMB11 数据手册

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