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UGDT125050

更新时间： 2024-11-06 05:00:19

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威世 - VISHAY		变压器栅极驱动 MOSFET栅极驱动
页数	文件大小	规格书
2页	415K
描述
Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s), 1:0.5:0.5,

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UGDT125050 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
其他特性：	BREADTH AND HEIGHT DIMENSIONS INCLUDE TERMINALS ALSO	应用：	MOSFET GATE DRIVE
高度：	5.33 mm	绝缘电压：	1500 V
长度：	6.6 mm	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	包装方法：	TAPE & REEL
物理尺寸：	L6.6XB8.0XH5.33 (mm)	初级电感：	330000 µH
表面贴装：	YES	变压器类型：	PULSE TRANSFORMER
匝数比 (Np:Ns)：	1:0.5:0.5	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

UGDT125050 数据手册

Micro Gate Drive Transformers

· Deliver MOSFET / IGBT gate power

and timing signals simultaneously

· Directly drive high-side MOSFETs /

IGBTs on busses up to 200V

· Excellent risetime, overshoot, and

peak current characteristics

Model Selection Table

Useful

Freq. Range

(KHz)

Transfer

Ratio¹

(+/-1%)

Drive

Magnetizing

Leakage

DC Resistance²

Interwinding Capacitance

Excitation Inductance ^2,3Inductance ⁴

Drive

(W MAX)

2.0

Gates

(W MAX)

0.7

Drive-Gate

Gate-Gate

HiRel P/N

(nH MAX)

500

(pF MAX)

(V•mS MAX)

(mH MIN)

330

UGDT 125 050

UGDT 125 075

UGDT 125 100

125 ~ 500

1 : 0.5 : 0.5

125 ~ 500 1 : 0.75 : 0.75

125 ~ 500 1 : 1 : 1

360

500

2.0

330

500

2.0

160

Absolute Maximum Ratings (All Models)

Parameter

Conditions

Limit(s)

1500

Units

VDC

Dielectric Withstand Voltage Drive-gate; 1 min

Gate-gate; 1 min

500

DRIVE

Winding Current

Any winding

100

mARMS

Total Power Dissipation⁵

Operating Temperature

Storage Temperature

300

Continuous

-40 ~ +105

-40 ~ +130

ºC

GATES

ºC

1. Drive : Gate or Drive : Gate : Gate.

2. T_A= 25°C.

3. Small-signal measurement across the Drive winding with both Gates open.

4. Small-signal measurement across the Drive winding with both Gates shorted.

5. Derate at 5mW / ºC above 25ºC.

0.330 [8.38]

0.050 [1.27] TYP

(6 PLACES)

0.260 MAX

[6.60]

0.210 MAX

[5.33]

0.073 [1.85] TYP

(4 PLACES)

0.050 [1.27] TYP

(6 PLACES)

0.073 [1.85]

TYP (4 PLACES)

0.315 MAX

[8.00]

SUGGESTED PAD LAYOUT

Units are inches [mm].

Tolerance on all dimensions is +/-0.010 [0.25] unless otherwise specified.

Specifications are subject to change without notice.

www.hirelsystems.com

sales@hirelsystems.com

engineering@hirelsystems.com

Hi-Rel Systems, Inc.

11100 Wayzata Boulevard

Suite 501

Minnetonka, MN 55305

Phone: 952-544-1344

Fax: 952-544-1345

Date code 0229

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UGDT125075	VISHAY	获取价格	Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s), 1:0.75:0.75,
UGDT125100	VISHAY	获取价格	Pulse Transformer, MOSFET GATE DRIVE Application(s), 1:1:1,
UGE0221AY4	IXYS	获取价格	High Voltage rectifiers Hochspannungs-gleichrichter
UGE0221AY4	LITTELFUSE	获取价格	高压整流器系列提供从3200V到24000V的击穿电压，而且提高了温度和功率循环。
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UGE0421AY4	LITTELFUSE	获取价格	高压整流器系列提供从3200V到24000V的击穿电压，而且提高了温度和功率循环。
UGE10BCT	VISHAY	获取价格	Glass passivated pellet chip junction
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