生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIP |
包装说明: | SIP, | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.84 | 其他特性: | REVERSE BATTERY PROTECTION |
模拟集成电路 - 其他类型: | ANALOG CIRCUIT | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
长度: | 4.105 mm | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.26 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 24 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 12 V |
表面贴装: | NO | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | SINGLE | 宽度: | 1.52 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UGE5 | MICROSEMI |
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5A, 5000V, SILICON, RECTIFIER DIODE, MODULE-2 | |
UGE5HT | VISHAY |
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Ultrafast recovery time | |
UGE5HT-E3/45 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 500V V(RRM), Silicon, TO-220AC, | |
UGE5JT | VISHAY |
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Ultrafast recovery time | |
UGE5JT-E3/45 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220AC, | |
UGE7.5 | MICROSEMI |
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3.3A, 7500V, SILICON, RECTIFIER DIODE, MODULE-2 | |
UGE-7.5 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 7500V V(RRM), Silicon, MODULE-2 | |
UGF0DCT | VISHAY |
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DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN, Rectifier | |
UGF10 | VISHAY |
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Dual Ultrafast Soft Recovery Rectifiers | |
UGF1004G | THINKISEMI |
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10.0 Amperes Insulated Dual Common Cathode Ultra Fast Recovery Rectifiers |