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UGE-7.5

更新时间: 2024-11-24 19:46:23
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美高森美 - MICROSEMI 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 162K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3.3A, 7500V V(RRM), Silicon, MODULE-2

UGE-7.5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:O-XXSS-X2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):13 V
JESD-30 代码:O-XXSS-X2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:3.3 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:SPECIAL SHAPE
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:7500 V
最大反向电流:10 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UNSPECIFIED
Base Number Matches:1

UGE-7.5 数据手册

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