是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.65 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY |
应用: | EFFICIENCY | 外壳连接: | CATHODE |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.5 V |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值正向电流: | 65 A | 元件数量: | 1 |
相数: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
最大输出电流: | 5 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 600 V | 最大反向恢复时间: | 0.05 µs |
子类别: | Rectifier Diodes | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UGB5JT-HE3/81 | VISHAY |
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DIODE 5 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R | |
UGB6124AG | IXYS |
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High Voltage rectifiers Hochspannungs-gleichrichter | |
UGB6124AG | LITTELFUSE |
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高压整流器系列提供从3200V到24000V的击穿电压,而且提高了温度和功率循环。 | |
UGB7.5 | MICROSEMI |
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3A, 7500V, SILICON, RECTIFIER DIODE, MODULE-2 | |
UGB-7.5 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 7500V V(RRM), Silicon, MODULE-2 | |
UGB8AT | VISHAY |
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ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER | |
UGB8AT/31 | VISHAY |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3 | |
UGB8AT-DT | VISHAY |
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暂无描述 | |
UGB8AT-E3/45 | VISHAY |
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DIODE 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Re | |
UGB8AT-HE3/81 | VISHAY |
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DIODE 8 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Re |