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UGB8CT-DT PDF预览

UGB8CT-DT

更新时间： 2024-11-20 21:16:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 163K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 150V V(RRM)

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UGB8CT-DT 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.75配置：SINGLE
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.95 V
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大输出电流：8 A
最大重复峰值反向电压：150 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

UGB8CT-DT 数据手册

 浏览型号UGB8CT-DT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UGB8CT-DT的Datasheet PDF文件第3页 
UG8AT-DT, UGF8AT-DT, UGB8AT-DT  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
Ultrafast Rectifier  
Reverse Voltage 50 to 200 V  
Forward Current 8.0 A  
Reverse Recovery Time 20 ns  
ITO-220AC (UGF8AT-DT)  
0.188 (4.77)  
0.172 (4.36)  
0.405 (10.27)  
0.383 (9.72)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
TO-220AC (UG8AT-DT)  
0.131 (3.39)  
0.122 (3.08)  
0.140 (3.56)  
0.130 (3.30)  
DIA.  
DIA.  
0.415 (10.54) MAX.  
0.185 (4.70)  
0.175 (4.44)  
0.154 (3.91)  
0.148 (3.74)  
0.676 (17.2)  
0.646 (16.4)  
DIA.  
0.600 (15.5)  
0.580 (14.5)  
0.370 (9.40)  
0.360 (9.14)  
0.055 (1.39)  
0.045 (1.14)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.113 (2.87)  
0.103 (2.62)  
PIN  
0.145 (3.68)  
0.135 (3.43)  
1
2
0.191 (4.85)  
0.171 (4.35)  
0.603 (15.32)  
0.573 (14.55)  
0.410 (10.41)  
0.390 (9.91)  
0.350 (8.89)  
0.330 (8.38)  
0.635 (16.13)  
0.625 (15.87)  
0.110 (2.80)  
0.100 (2.54)  
0.560 (14.22)  
0.530 (13.46)  
0.060 (1.52)  
PIN 1  
PIN  
1
2
1.148 (29.16)  
1.118 (28.40)  
0.160 (4.06)  
0.140 (3.56)  
PIN 2  
0.110 (2.79)  
0.100 (2.54)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.69)  
0.022 (0.55)  
0.014 (0.36)  
0.560 (14.22)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
PIN 1  
PIN 2  
0.530 (13.46)  
CASE  
0.105 (2.67)  
TO-263AB (UGB8AT-DT)  
0.037 (0.94)  
0.027 (0.68)  
0.095 (2.41)  
0.022 (0.56)  
0.014 (0.36)  
0.190 (4.83)  
0.160 (4.06)  
0.411 (10.45)  
0.380 (9.65)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
0.055 (1.40)  
0.045 (1.14)  
0.245 (6.22)  
MIN  
Mounting Pad Layout TO-263AB  
K
0.055 (1.40)  
0.047 (1.19)  
0.360 (9.14)  
0.320 (8.13)  
0.624 (15.85)  
0.591 (15.00)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
K
1
2
0-0.01 (0-0.254)  
0.110 (2.79)  
0.090 (2.29)  
0.027 (0.686)  
0.037 (0.940)  
0.021 (0.53)  
0.014 (0.36)  
PIN 1  
PIN 2  
K - HEATSINK  
0.105 (2.67)  
0.095 (2.41)  
0.140 (3.56)  
0.110 (2.79)  
0.205 (5.20)  
0.195 (4.95)  
Features  
Mechanical Data  
• Plastic package has Underwriters Laboratories  
Flammability Classification 94V-0  
Case: JEDEC TO-220AC, ITO-220AC & TO-263AB  
molded plastic body  
• High reverse energy capability  
Terminals: Plated leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
• Excellent high temperature switching  
Polarity: As marked  
• High temperature soldering guaranteed: 250°C/10  
seconds at terminals  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
Weight: 0.08 oz., 2.24 g  
• Glass passivated chip junction  
Document Number 88765  
17-Sep-03  
www.vishay.com  
1
123

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与UGB8CT-DT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UGB8CT-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 150V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P
UGB8CT-E3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
UGB8CTHE3/45 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
UGB8CTHE3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
UGB8CT-HE3/81 VISHAY

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 		DIODE 8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
UGB8CTHE3_A/I VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode,
UGB8DT VISHAY

获取价格

 		ULTRAFAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER
UGB8DT/31 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, PLASTIC PACKAGE-3
UGB8DT-DT VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM)
UGB8DT-E3/31 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, P

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