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UGB7.5

更新时间: 2024-11-20 20:52:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 高压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 162K
描述
3A, 7500V, SILICON, RECTIFIER DIODE, MODULE-2

UGB7.5 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:O-XXSS-X2针数:2
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
应用:HIGH VOLTAGE外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-XXSS-X2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:3 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:SPECIAL SHAPE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:7500 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UNSPECIFIEDBase Number Matches:1

UGB7.5 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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