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TSM4431CSRL

更新时间： 2024-11-11 03:57:39

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TSC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	346K
描述
30V P-Channel MOSFET

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TSM4431CSRL 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5.8 A	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TSM4431CSRL 数据手册

TSM4431

30V P-Channel MOSFET

PRODUCT SUMMARY

SOP-8

Pin Definition:

1. Source

2. Source

3. Source

4. Gate

V_DS(V)

R_DS(on)(mΩ)

40 @ V_GS= -10V

70 @ V_GS= -4.5V

I_D(A)

-5.8

-30

-4.5

5, 6, 7, 8. Drain

Features

Block Diagram

●

Advance Trench Process Technology

High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance

Application

●

DC-DC Conversion

Asynchronous Buck Converter

P-Channel MOSFET

Ordering Information

Part No.

Package

SOP-8

Packing

TSM4431CS RL

T&R

Absolute Maximum Rating (Ta = 25 ^oC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

-30

Unit

Drain-Source Voltage

V_DS

V_GS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)^a,b

-5.8

I_DM

I_S

-20

-2.3

Ta = 25 ^oC

Ta = 75 ^oC

2.5

Maximum Power Dissipation

P_D

1.6

Operating Junction Temperature

T_J

+150

- 55 to +150

^oC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

Thermal Performance

Parameter

Symbol

RӨ_JC

Limit

Unit

^oC/W

Junction to Case Thermal Resistance

Junction to Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

Notes:

RӨ_JA

a. Pulse width limited by the Maximum junction temperature

b. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.

1/6

Version: A07

12 3 4 5 6

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