生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.84 |
其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 3.9 A |
最大漏源导通电阻: | 0.09 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TSM4435 | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435_07 | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435_08 | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435B | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435BCSRL | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435BCSRLG | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435CS | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4435CSRL | TSC |
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30V P-Channel MOSFET | |
TSM4436 | TSC |
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60V N-Channel MOSFET | |
TSM4436CSRL | TSC |
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60V N-Channel MOSFET |