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TPS1101DR

更新时间： 2024-11-23 12:16:11
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
13页 495K
描述
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TPS1101DR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.16Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.62 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.791 W最大功率耗散 (Abs)：0.791 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPS1101DR 数据手册

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TPS1101, TPS1101Y  
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS  
SLVS079C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Low r  
. . . 0.09 Ω Typ at V  
= –10 V  
DS(on)  
GS  
3 V Compatible  
Requires No External V  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
1
2
3
4
8
7
6
5
CC  
TTL and CMOS Compatible Inputs  
= –1.5 V Max  
V
GS(th)  
Available in Ultrathin TSSOP Package (PW)  
ESD Protection Up to 2 kV per  
MIL-STD-883C, Method 3015  
D PACKAGE  
description  
The TPS1101 is a single, low-r  
, P-channel,  
DS(on)  
enhancement-mode MOSFET. The device has  
been optimized for 3-V or 5-V power distribution  
in battery-powered systems by means of the  
Texas Instruments LinBiCMOS process. With a  
PW PACKAGE  
maximum V  
of –1.5 V and an I  
of only  
GS(th)  
DSS  
0.5 µA, the TPS1101 is the ideal high-side switch  
for low-voltage, portable battery-management  
systemswheremaximizingbatterylifeisaprimary  
concern. The low r  
and excellent ac  
DS(on)  
PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
characteristics (rise time 5.5 ns typical) of the  
TPS1101 make it the logical choice for  
low-voltage switching applications such as power  
switches for pulse-width-modulated (PWM)  
controllers or motor/bridge drivers.  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
NC  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
NC  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
NC  
The ultrathin thin shrink small-outline package or  
TSSOP (PW) version fits in height-restricted  
places where other P-channel MOSFETs cannot.  
The size advantage is especially important where  
board height restrictions do not allow for an  
small-outline integrated circuit (SOIC) package.  
Such applications include notebook computers,  
personal digital assistants (PDAs), cellular  
NC  
NC – No internal connection  
telephones, and PCMCIA cards. For existing designs, the D-packaged version has a pinout common with other  
P-channel MOSFETs in SOIC packages.  
AVAILABLE OPTIONS  
†
PACKAGED DEVICES  
CHIP FORM  
(Y)  
T
J
SMALL OUTLINE  
(D)  
TSSOP  
(PW)  
–40°C to 150°C  
TPS1101D  
TPS1101PWLE  
TPS1101Y  
†
The D package is available taped and reeled. Add an R suffix to device type (e.g.,  
TPS1101DR). The PW package is only available left-end taped and reeled (indicated by  
the LE suffix on the device type; e.g., TPS1101PWLE). The chip form is tested at 25°C.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
LinBiCMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...13

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