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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TPS1110DR
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TPS1110DR

更新时间： 2024-01-11 06:46:56
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI /
页数 文件大小 规格书
14页 242K
描述
SINGLE P-CHANNEL LOGIC-LEVEL MOSFETS

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TPS1110DR 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：UNCASED CHIP, R-XUUC-N6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.40风险等级：5.84
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：7 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.065 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XUUC-N6元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：UNCASED CHIP
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPS1110DR 数据手册

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TPS1110, TPS1110Y  
SINGLE P-CHANNEL LOGIC-LEVEL MOSFETS  
SLVS100B – OCTOBER 1994 – REVISED JANUARY 1998  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Low r  
. . . 65 mΩ Typ at V  
= –4.5 V  
DS(on)  
GS  
High Current Capability  
6 A at V = –4.5 V  
GS  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
1
2
3
4
8
7
6
5
Logic-Level Gate Drive (3 V Compatible)  
= –0.9 V Max  
V
GS(th)  
Low Drain-Source Leakage Current  
<100 nA From 25°C to 75°C  
at V  
= –6 V  
DS  
Fast Switching . . . 5.8 ns Typ t  
d(on)  
Small-Outline Surface-Mount Power  
Package  
description  
The TPS1110 is a single, low-r  
, P-channel enhancement-mode power MOS transistor. The device  
DS(on)  
features extremely low-r  
values coupled with logic-level gate-drive capability and very low drain-source  
DS(on)  
leakage current. With a maximum V  
of –0.9 V and an I  
of only –100 nA, the TPS1110 is the ideal  
GS(th)  
DSS  
high-side switch for low-voltage, portable battery-management power-distribution systems where maximizing  
battery life is an important concern. The thermal performance of the 8-pin small-outline (D) package has been  
greatly enhanced over the standard 8-pin SOIC, further making the TPS1110 ideally suited for many power  
applications. For compatibility with existing designs, the TPS1110 has a pinout common with other P-channel  
MOSFETs in small-outline integrated circuit (SOIC) packages. The TPS1110 is characterized for an operating  
junction temperature range, T , from –40°C to 150°C. TheDpackageisavailablepackagedinstandardsleeves  
J
or in taped and reeled formats. When ordering the tape-and-reel format, add an R suffix to the device type  
number (e.g., TPS1110DR).  
AVAILABLE OPTIONS  
†
PACKAGED DEVICE  
CHIP FORM  
(Y)  
T
J
SMALL OUTLINE  
(D)  
–40°C to 150°C  
TPS1110D  
TPS1110Y  
†
The D package is available taped and reeled. Add an R suffix to device  
type (e.g., TPS1110DR). The chip form is tested at 25°C.  
schematic  
SOURCE  
1
2
3
4
GATE  
5
6
7
8
DRAIN  
Copyright 1998, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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