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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPS1120DG4
TPS1120DG4 PDF预览

TPS1120DG4

更新时间： 2024-02-01 17:30:22
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 379K
描述
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

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TPS1120DG4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：GREEN, SOIC-8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.2Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.17 A
最大漏极电流 (ID)：1.17 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.84 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TPS1120DG4 数据手册

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TPS1120, TPS1120Y  
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS  
SLVS080A – MARCH 1994 – REVISED AUGUST 1995  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Low r  
. . . 0.18 Ω at V  
= –10 V  
GS  
DS(on)  
3-V Compatible  
Requires No External V  
1SOURCE  
1GATE  
2SOURCE  
2GATE  
1DRAIN  
1DRAIN  
2DRAIN  
2DRAIN  
1
2
3
4
8
7
6
5
CC  
TTL and CMOS Compatible Inputs  
= –1.5 V Max  
V
GS(th)  
ESD Protection Up to 2 kV per  
MIL-STD-883C, Method 3015  
description  
The TPS1120 incorporates two independent  
p-channel enhancement-mode MOSFETs that  
have been optimized, by means of the Texas  
Instruments LinBiCMOS process, for 3-V or 5-V  
power distribution in battery-powered systems. With a maximum V  
of –1.5 V and an I  
of only 0.5 µA,  
GS(th)  
DSS  
the TPS1120 is the ideal high-side switch for low-voltage portable battery-management systems, where  
maximizing battery life is a primary concern. Because portable equipment is potentially subject to electrostatic  
discharge (ESD), the MOSFETs have built-in circuitry for 2-kV ESD protection. End equipment for the TPS1120  
includes notebook computers, personal digital assistants (PDAs), cellular telephones, bar-code scanners, and  
PCMCIA cards. For existing designs, the TPS1120D has a pinout common with other p-channel MOSFETs in  
small-outline integrated circuit SOIC packages.  
The TPS1120 is characterized for an operating junction temperature range, T , from –40°C to 150°C.  
J
AVAILABLE OPTIONS  
†
PACKAGED DEVICES  
CHIP FORM  
(Y)  
T
J
SMALL OUTLINE  
(D)  
–40°C to 150°C  
TPS1120D  
TPS1120Y  
†
The D package is available taped and reeled. Add an R suffix to device  
type (e.g., TPS1120DR). The chip form is tested at 25°C.  
Caution. This device contains circuits to protect its inputs and outputs against damage due to high static voltages or electrostatic  
fields. These circuits have been qualified to protect this device against electrostatic discharges (ESD) of up to 2 kV according to  
MIL-STD-883C, Method 3015; however, it is advised that precautions be taken to avoid application of any voltage higher than  
maximum-rated voltages to these high-impedance circuits.  
LinBiCMS is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...15

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