5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> TPS1101D
TPS1101D PDF预览

TPS1101D

更新时间： 2024-11-22 22:19:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 163K
描述
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

阅读下载

中文翻译

获取价格

TPS1101D 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOIC-8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：1 week
风险等级：0.88Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：15 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.3 A最大漏极电流 (ID)：2.3 A
最大漏源导通电阻：0.19 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：MS-012AAJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.791 W最大功率耗散 (Abs)：0.791 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPS1101D 数据手册

 浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPS1101D的Datasheet PDF文件第7页 
TPS1101, TPS1101Y  
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS  
SLVS079C – DECEMBER 1993 – REVISED AUGUST 1995  
D PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Low r  
. . . 0.09 Ω Typ at V  
= –10 V  
DS(on)  
GS  
3 V Compatible  
Requires No External V  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
1
2
3
4
8
7
6
5
CC  
TTL and CMOS Compatible Inputs  
= –1.5 V Max  
V
GS(th)  
Available in Ultrathin TSSOP Package (PW)  
ESD Protection Up to 2 kV per  
MIL-STD-883C, Method 3015  
D PACKAGE  
description  
The TPS1101 is a single, low-r  
, P-channel,  
DS(on)  
enhancement-mode MOSFET. The device has  
been optimized for 3-V or 5-V power distribution  
in battery-powered systems by means of the  
Texas Instruments LinBiCMOS process. With a  
PW PACKAGE  
maximum V  
of –1.5 V and an I  
of only  
GS(th)  
DSS  
0.5 µA, the TPS1101 is the ideal high-side switch  
for low-voltage, portable battery-management  
systemswheremaximizingbatterylifeisaprimary  
concern. The low r  
and excellent ac  
DS(on)  
PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
characteristics (rise time 5.5 ns typical) of the  
TPS1101 make it the logical choice for  
low-voltage switching applications such as power  
switches for pulse-width-modulated (PWM)  
controllers or motor/bridge drivers.  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
NC  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
SOURCE  
GATE  
NC  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
DRAIN  
NC  
The ultrathin thin shrink small-outline package or  
TSSOP (PW) version fits in height-restricted  
places where other P-channel MOSFETs cannot.  
The size advantage is especially important where  
board height restrictions do not allow for an  
small-outline integrated circuit (SOIC) package.  
Such applications include notebook computers,  
personal digital assistants (PDAs), cellular  
NC  
NC – No internal connection  
telephones, and PCMCIA cards. For existing designs, the D-packaged version has a pinout common with other  
P-channel MOSFETs in SOIC packages.  
AVAILABLE OPTIONS  
†
PACKAGED DEVICES  
CHIP FORM  
(Y)  
T
J
SMALL OUTLINE  
(D)  
TSSOP  
(PW)  
–40°C to 150°C  
TPS1101D  
TPS1101PWLE  
TPS1101Y  
†
The D package is available taped and reeled. Add an R suffix to device type (e.g.,  
TPS1101DR). The PW package is only available left-end taped and reeled (indicated by  
the LE suffix on the device type; e.g., TPS1101PWLE). The chip form is tested at 25°C.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
LinBiCMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1995, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

TPS1101D 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPS1101DR TI

类似代替

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DRG4 TI

类似代替

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DG4 TI

类似代替

 SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与TPS1101D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPS1101DG4 TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DR TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DRG4 TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101DW TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101PW TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101PWLE TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101PWR TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101PWRG4 TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101Y TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS
TPS1101YDW TI

获取价格

 		SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETS

与TPS1101D相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证