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TP27C256-120V10

更新时间: 2024-09-20 19:59:11
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL OTP只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 325K
描述
OTP ROM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

TP27C256-120V10 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.37
最长访问时间:120 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
长度:37.02 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:OTP ROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:12.75 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

TP27C256-120V10 数据手册

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