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TP28F512-120

更新时间: 2024-11-07 22:24:39
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
30页 1819K
描述
512K(64Kx8)CMOS FLASH MEMORY

TP28F512-120 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.92最长访问时间:120 ns
其他特性:100000 ERASE/PROGRAM CYCLES命令用户界面:YES
数据轮询:NO耐久性:1000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
长度:41.91 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.83 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

TP28F512-120 数据手册

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