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TP0610TT1 PDF预览

TP0610TT1

更新时间： 2024-11-15 19:20:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 70K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, TO-236, 3 PIN

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TP0610TT1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.24
其他特性：LOW THRESHOLD配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：0.12 A
最大漏源导通电阻：10 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TP0610TT1 数据手册

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TP0610L/T, VP0610L/T, BS250  
Vishay Siliconix  
P-Channel 60-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
Part Number  
V(BR)DSS Min (V)  
rDS(on) Max (W)  
VGS(th) (V)  
ID (A)  
TP0610L  
TP0610T  
VP0610L  
VP0610T  
BS250  
−60  
−60  
−60  
−60  
−45  
10 @ V = −10 V  
−1 to −2.4  
−1 to −2.4  
−1 to −3.5  
−1 to −3.5  
−1 to −3.5  
−0.18  
−0.12  
−0.18  
−0.12  
−0.18  
GS  
10 @ V = −10 V  
GS  
10 @ V = −10 V  
GS  
10 @ V = −10 V  
GS  
14 @ V = −10 V  
GS  
FEATURES  
BENEFITS  
APPLICATIONS  
D High-Side Switching  
D Ease in Driving Switches  
D Low Offset (Error) Voltage  
D Low-Voltage Operation  
D High-Speed Switching  
D Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,  
Hammers, Displays, Memories,  
Transistors, etc.  
D Battery Operated Systems  
D Power Supply, Converter Circuits  
D Motor Control  
D Low On-Resistance: 8 W  
D Low Threshold: −1.9 V  
D Fast Switching Speed: 16 ns  
D Low Input Capacitance: 15 pF  
D Easily Driven Without Buffer  
TO-92-18RM  
(TO-18 Lead Form)  
Device Marking  
Front View  
TO-226AA  
(TO-92)  
TO-236  
(SOT-23)  
TP0610L  
Device Marking  
Front View  
1
1
S
G
D
D
“S” TP  
0610L  
xxll  
BS250  
G
1
2
Marking Code:  
G
S
2
2
3
“S” BS  
250  
xxll  
3
D
TP0610T: TOwll  
VP0610T: VOwll  
S
VP0610L  
w = Week Code  
lL = Lot Traceability  
3
“S” VP  
0610L  
xxll  
“S” = Siliconix Logo  
xxll = Date Code  
Top View  
Top View  
Top View  
BS250  
TP0610T  
VP0610T  
TP0610L  
VP0610L  
“S” = Siliconix Logo  
xxll = Date Code  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol TP0610L TP0610T VP0610L VP0610T  
BS250  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
−60  
"30  
−0.18  
−0.11  
−0.8  
0.8  
−60  
"30  
−0.12  
−0.07  
−0.4  
0.36  
0.14  
350  
−60  
"30  
−60  
"30  
−0.12  
−0.07  
−0.4  
0.36  
0.14  
350  
−45  
"25  
−0.18  
DS  
GS  
V
T = 25_C  
−0.18  
−0.11  
−0.8  
A
Continuous Drain Current  
I
D
(T = 150_C)  
J
T = 100_C  
A
A
a
Pulsed Drain Current  
I
DM  
T = 25_C  
0.8  
0.83  
150  
A
Power Dissipation  
P
W
D
T = 100_C  
0.32  
156  
0.32  
A
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
R
thJA  
156  
_C/W  
_C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
−55 to 150  
stg  
Notes  
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.  
For applications information see AN804.  
Document Number: 70209  
S-41260—Rev. H, 05-Jul-04  
www.vishay.com  
1
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TP0610T-T1 VISHAY

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 		P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
TP0610T-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610TT2 TEMIC

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610TT2 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0610T-TR1-E3 VISHAY

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 		TRANSISTOR 120 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, LEAD FREE, TO-236,
TP0616N3 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0616N3P001 SUPERTEX

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
TP0616N3P006 SUPERTEX

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