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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW THRESHOLD | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 160 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 35 pF | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TP0616N3P017 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| TP0616N3P018 | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 160V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| TP0619-752J | TDK |
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General Purpose Inductor, 7500uH, 5%, 1 Element |
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| TP0619-822J | TDK |
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General Purpose Inductor, 8200uH, 5%, 1 Element |
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| TP0620 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
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| TP0620 | MICROCHIP |
获取价格 |
This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS st |
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| TP0620_13 | SUPERTEX |
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P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET |
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| TP0620N3 | SUPERTEX |
获取价格 |
P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs |
|
| TP0620N3-G | SUPERTEX |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.175A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
|
| TP0620N3-GP002 | SUPERTEX |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, |
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