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TN3467

更新时间: 2024-09-19 19:57:27
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美国国家半导体 - NSC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 224K
描述
TRANSISTOR 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237, TO-237, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

TN3467 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.88
最大集电极电流 (IC):1 A基于收集器的最大容量:25 pF
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):40JEDEC-95代码:TO-237AA
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:PNP
功耗环境最大值:2 W最大功率耗散 (Abs):2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):175 MHz
最大关闭时间(toff):90 ns最大开启时间(吨):40 ns
VCEsat-Max:1 VBase Number Matches:1

TN3467 数据手册

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