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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> TN3467A
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TN3467A

更新时间： 2024-11-09 22:19:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
PNP Switching Transistor

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TN3467A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.88Is Samacsys：N
其他特性：HIGH SPEED SATURATED SWITCHING最大集电极电流 (IC)：1.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-226
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：175 MHz最大关闭时间（toff）：90 ns
最大开启时间（吨）：40 nsBase Number Matches：1

TN3467A 数据手册

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Discrete POWER & Signal  
Technologies  
TN3467A  
MMPQ3467  
B
E
B
E
B
E
B
E
C
C
C
C
C
C
TO-226  
C
C
B
C
E
SOIC-16  
PNP Switching Transistor  
This device is designed for high speed saturated switching applications  
at currents to 800 mA. Sourced from Process 70.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
40  
40  
V
V
5.0  
1.2  
V
Collector Current - Continuous  
A
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
TN3467A  
MMPQ3467  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
1.0  
8.0  
50  
1.0  
8.0  
W
mW/°C  
°C/W  
Rθ  
JC  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Effective 4 Die  
125  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
JA  
125  
240  
Each Die  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
123456

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