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TN0104N2

更新时间： 2024-10-28 19:52:35

品牌	Logo	应用领域
超科 - SUPERTEX		输入元件开关晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	34K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-39

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TN0104N2 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH INPUT IMPEDANCE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	1.25 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	3.5 W
最大功率耗散 (Abs)：	3.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TN0104N2 数据手册

TN0102

TN0104

Low Threshold

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

V_GS(th)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

(max)

1.6V

TO-39

TN0102N2

TN0104N2

—

TO-92

TN0102N3

TN0104N3

—

TO-243AA*

Die^†

20V

1.8Ω

2.0Ω

2.0A

—

TN0102ND

TN0104ND

—

40V

TN0104N8

* Same as SOT-89. Product supplied on 2000 piece carrier tape reels.

^†MIL visual screening available

Features

Low Threshold DMOS Technology

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transis-

tors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Low threshold —1.6V max.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low on resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Complementary N- and P-channel devices

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where very low threshold

voltage, highbreakdownvoltage, highinputimpedance, lowinput

capacitance, and fast switching speeds are desired.

Applications

Package Options

Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drives

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

TO-243AA

(SOT-89)

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

S G D

TO-92

TO-39

Case: DRAIN

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

* For TO-39 and TO-92, distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

Note: See Package Outline section for dimensions.

7-31

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TN0104N3	SUPERTEX	获取价格	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
TN0104N3-G	MICROCHIP	获取价格	450mA, 40V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92
TN0104N3-G	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
TN0104N3-GP002	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TN0104N3-GP003	MICROCHIP	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TN0104N3-GP005	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TN0104N3-GP013	MICROCHIP	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TN0104N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TN0104N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TN0104N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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