TN0104N3-G

更新时间： 2024-10-28 13:01:31

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超科 - SUPERTEX		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
4页	38K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, GREEN PACKAGE-3

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TN0104N3-G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	7.87	其他特性：	LOW THRESHOLD
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.45 A	最大漏极电流 (ID)：	0.45 A
最大漏源导通电阻：	1.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	15 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	1 W	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TN0104N3-G 数据手册

TN0104

Low Threshold

N-Channel Enhancement-Mode

Vertical DMOS FETs

Ordering Information

Order Number / Package

BV_DSS

R_DS(ON)

V_GS(th)

I_D(ON)

(min)

BV_DGS

40V

(max)

TO-92

TN0104N3

—

TO-243AA*

—

Die^†

TN0104ND

—

1.8Ω

2.0Ω

1.6V

2.0A

40V

TN0104N8

* Same as SOT-89. Product supplied on 2000 piece carrier tape reels.

^†MIL visual screening available

Product marking for TO-243AA:

Features

TN1L*

Where *=2-week alpha date code

Low threshold —1.6V max.

High input impedance

Low input capacitance

Fast switching speeds

Low Threshold DMOS Technology

Low on resistance

These low threshold enhancement-mode (normally-off) transis-

tors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven

silicon-gate manufacturing process. This combination produces

devices with the power handling capabilities of bipolar transistors

and with the high input impedance and positive temperature

coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS

structures, these devices are free from thermal runaway and

thermally-induced secondary breakdown.

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Complementary N- and P-channel devices

Supertex’s vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range

of switching and amplifying applications where very low threshold

voltage, highbreakdownvoltage, highinputimpedance, lowinput

capacitance, and fast switching speeds are desired.

Applications

Logic level interfaces – ideal for TTL and CMOS

Solid state relays

Battery operated systems

Photo voltaic drives

Package Options

Analog switches

General purpose line drivers

Telecom switches

Absolute Maximum Ratings

Drain-to-Source Voltage

Drain-to-Gate Voltage

Gate-to-Source Voltage

BV_DSS

BV_DGS

± 20V

TO-243AA

S G D

(SOT-89)

TO-92

Operating and Storage Temperature

Soldering Temperature*

-55°C to +150°C

300°C

Note: See Package Outline section for dimensions.

* For TO-39 and TO-92, distance of 1.6 mm from case for 10 seconds.

7-31

12 3 4

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TN0104N3-GP014	MICROCHIP	获取价格	SMALL SIGNAL, FET
TN0104N3-GP014	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor,
TN0104N3P001	SUPERTEX	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
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