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TMS45165-70DZ

更新时间: 2024-11-12 19:10:23
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 684K
描述
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40

TMS45165-70DZ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOJ, SOJ40,.44
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.79
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40长度:26.035 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ40,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
座面最大高度:3.76 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.16 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TMS45165-70DZ 数据手册

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