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TMS45169-70DZ

更新时间: 2024-11-12 19:33:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 1805K
描述
IC,DRAM,EDO,256KX16,CMOS,SOJ,40PIN,PLASTIC

TMS45169-70DZ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:5.88
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J40内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ40,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
自我刷新:YES最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.16 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

TMS45169-70DZ 数据手册

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