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TMS46100-80DGB

更新时间: 2024-09-23 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 721K
描述
4MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP-26/20

TMS46100-80DGB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2-R,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:17.14 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TMS46100-80DGB 数据手册

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