是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 80 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J40 |
长度: | 26.035 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 40 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ40,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 512 | 座面最大高度: | 3.76 mm |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS45165L-10DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS45165L-10DZ | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 100ns, PDSO40 | |
TMS45165L-70DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS45165L-70DZ | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 | |
TMS45165L-80DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS45165P-70DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS45165P-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 | |
TMS45165S-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 | |
TMS45169-50DGE | TI |
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IC,DRAM,EDO,256KX16,CMOS,TSOP,40PIN,PLASTIC | |
TMS45169-70DZ | TI |
获取价格 |
IC,DRAM,EDO,256KX16,CMOS,SOJ,40PIN,PLASTIC |