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TMS45165-80DZ

更新时间: 2024-11-12 19:10:23
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德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 684K
描述
256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40

TMS45165-80DZ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.83访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J40
长度:26.035 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:40字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ40,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:3.76 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.14 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

TMS45165-80DZ 数据手册

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