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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFN |
| 包装说明： | PLASTIC, CC-18 | 针数： | 18 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.88 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | PAGE |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | RAS ONLY REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PQCC-J18 |
| 长度： | 10.795 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16KX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC18,.33X.53 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 座面最大高度： | 3.5 mm |
| 子类别： | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS4416-15NL | TI |
获取价格 |
16KX4 PAGE MODE DRAM, 150ns, PDIP18 |
|
| TMS4416-20FPL | TI |
获取价格 |
16KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, PQCC18, PLASTIC, CC-18 |
|
| TMS4416-20NL | TI |
获取价格 |
16KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, PDIP18 |
|
| TMS44165-10DGE | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS44165-10DZ | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
|
| TMS44165-60DGE | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 |
|
| TMS44165-70DGE | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 |
|
| TMS44165-70DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 |
|
| TMS44165-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 |
|
| TMS44165-80DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40 |
|
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