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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | PAGE | 最长访问时间： | 200 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 | 长度： | 22.48 mm |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 18 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 256 |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | NMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TMS44165-10DGE | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44165-10DZ | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44165-60DGE | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 |
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| TMS44165-70DGE | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 |
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| TMS44165-70DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 |
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| TMS44165-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 |
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| TMS44165-80DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40 |
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| TMS44165L-10DGE | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44165L-10DZ | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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| TMS44165L-70DGE | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |
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