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TMS44165-70DZ

更新时间: 2024-09-23 20:09:19
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 1292K
描述
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40

TMS44165-70DZ 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J40JESD-609代码:e0
长度:26.035 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:3.76 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TMS44165-70DZ 数据手册

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