是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFN |
包装说明: | PLASTIC, CC-18 | 针数: | 18 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.88 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | PAGE |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | RAS ONLY REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PQCC-J18 |
长度: | 10.795 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | PAGE MODE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 18 | 字数: | 16384 words |
字数代码: | 16000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16KX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC18,.33X.53 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 256 | 座面最大高度: | 3.5 mm |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | NMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS4416-20NL | TI |
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16KX4 PAGE MODE DRAM, 200ns, PDIP18 | |
TMS44165-10DGE | ETC |
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x16 Fast Page Mode DRAM | |
TMS44165-10DZ | ETC |
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x16 Fast Page Mode DRAM | |
TMS44165-60DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS44165-70DGE | TI |
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256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40 | |
TMS44165-70DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 | |
TMS44165-70DZ | TI |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO40 | |
TMS44165-80DZ | ROCHESTER |
获取价格 |
256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40 | |
TMS44165L-10DGE | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM | |
TMS44165L-10DZ | ETC |
获取价格 |
x16 Fast Page Mode DRAM |