Datasheet > TMS44165P-80DGE

TMS44165P-80DGE

更新时间： 2024-09-23 15:54:51

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	609K
描述
256KX16 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO40, PLASTIC, TSOP-44/40

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TMS44165P-80DGE 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2, TSOP40/44,.46,32	针数：	44
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP40/44,.46,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.105 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TMS44165S-10DGE	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44165S-10DZ	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44165S-70DGE	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44165S-70DZ	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44165S-80DGE	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44165S-80DZ	ETC	获取价格	x16 Fast Page Mode DRAM
TMS44400	TI	获取价格	1048576-WORD BY 4-BIT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES
TMS44400-60DGA	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP-26/20
TMS44400-60DJ	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
TMS44400-60DM	TI	获取价格	1MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20