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TMS29LF008B-100DCDLB

更新时间: 2024-09-20 15:54:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 2307K
描述
IC IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC, Programmable ROM

TMS29LF008B-100DCDLB 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G40内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V就绪/忙碌:YES
部门规模:16K,8K,32K,64K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.06 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

TMS29LF008B-100DCDLB 数据手册

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