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TMS29LF008B-90DCDL

更新时间: 2024-09-21 04:24:59
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
43页 2307K
描述
IC,EEPROM,NOR FLASH,1MX8,CMOS,TSSOP,40PIN,PLASTIC

TMS29LF008B-90DCDL 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP40,.8,20Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.92最长访问时间:90 ns
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G40内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
部门数/规模:1,2,1,15端子数量:40
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP40,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.06 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE

TMS29LF008B-90DCDL 数据手册

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