TK8A65D

更新时间： 2024-11-16 06:02:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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Switching Regulator Applications

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TK8A65D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.31	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	416 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	650 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.84 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TK8A65D 数据手册

TK8A65D

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

TK8A65D

Switching Regulator Applications

Unit: mm

•

Low drain-source ON-resistance: R

High forward transfer admittance: |Y | = 4.5 S (typ.)

= 0.7 Ω (typ.)

DS (ON)

Low leakage current: I

= 10 μA (max) (V

= 650 V)

DSS

Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

650

±30

DSS

Gate-source voltage

GSS

(Note 1)

1: Gate

2: Drain

3: Source

Drain current

Pulse (t = 1 ms)

(Note 1)

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

416

(Note 2)

JEDEC

JEITA

―

Avalanche current

4.5

SC-67

2-10U1B

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

TOSHIBA

150

Weight: 1.7 g (typ.)

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability

Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.

reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to case

Thermal resistance, channel to ambient

2.78

62.5

°C/W

th (ch-c)

th (ch-a)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 11.5 mH, R = 25 Ω, I = 8 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2009-04-09

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