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TK8B50D

更新时间： 2024-11-18 21:10:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 250K
描述
TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK8B50D 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SC-67
包装说明：ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.38
雪崩能效等级（Eas）：165 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.85 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK8B50D 数据手册

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TK8B50D  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK8B50D  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 4.0 S (typ.)  
= 0.7 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 500 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.0 to 4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
500  
500  
±30  
8
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
32  
40  
DP  
(Note 1)  
JEDEC  
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
JEITA  
SC-67  
2-10R1B  
Single pulse avalanche energy  
E
165  
mJ  
TOSHIBA  
Weight: 1.9 g (typ.)  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
8
4.0  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 4.4 mH, R = 25 Ω, I = 8 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2009-04-09  
123456

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