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TK4A60DB

更新时间： 2024-09-29 19:56:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 251K
描述
TRANSISTOR 3.7 A, 600 V, 2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK4A60DB 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.28雪崩能效等级（Eas）：173 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14.8 A
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK4A60DB 数据手册

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TK4A60DB  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)  
TK4A60DB  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
2.7 ± 0.2  
10 ± 0.3  
Ф3.2 ± 0.2  
A
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 2.2 S (typ.)  
= 1.6 Ω(typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 10 μA (max) (V  
= 600V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.4 to 4.4 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
1.14 ± 0.15  
0.69 ± 0.15  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
M A  
Ф0.2  
2.54  
2.54  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
1
2
3
V
V
600  
±30  
3.7  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
14.8  
35  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
JEDEC  
⎯
Single pulse avalanche energy  
E
173  
mJ  
(Note 2)  
JEITA  
SC-67  
Avalanche current  
I
3.7  
3.5  
A
TOSHIBA  
2-10U1B  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 1.7 g (typ.)  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.57  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C(initial), L = 22 mH, R = 25 Ω, I = 3.7 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
Start of commercial production  
2009-04  
1
2013-11-01  
123456

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